光伏發電(diàn)的主要原理(lǐ)是半導體(tǐ)的光電(diàn)效應。光子照射到金屬上(shàng)時(shí)，它的能量可(kě)以被金屬中某個(gè)電(diàn)子全部吸收，電(diàn)子吸收的能量足夠大(dà)，能克服金屬原子內(nèi)部的庫侖力做(zuò)功，離開(kāi)金屬表面逃逸出來(lái)，成為(wèi)光電(diàn)子。矽原子有(yǒu)4個(gè)外層電(diàn)子，如果在純矽中摻入有(yǒu)5個(gè)外層電(diàn)子的原子如磷原子，就成為(wèi)N型半導體(tǐ);若在純矽中摻入有(yǒu)3個(gè)外層電(diàn)子的原子如硼原子，形成P型半導體(tǐ)。當P型和(hé)N型結合在一起時(shí)，接觸面就會(huì)形成電(diàn)勢差，成為(wèi)太陽能電(diàn)池。當太陽光照射到P-N結後，電(diàn)流便從P型一邊流向N型一邊，形成電(diàn)流。光電(diàn)效應是物理(lǐ)學中一個(gè)重要而神奇的現象。在高(gāo)于某特定頻率的電(diàn)磁波(該頻率稱為(wèi)極限頻率threshold frequency)照射下，某些(xiē)物質內(nèi)部的電(diàn)子吸收能量後逸出而形成電(diàn)流，即光生(shēng)電(diàn)。多(duō)晶矽經過鑄錠、破錠、切片等程序後，制(zhì)作(zuò)成待加工的矽片。在矽片上(shàng)摻雜和(hé)擴散微量的硼、磷等，就形成P-N結。然後采用絲網印刷，将精配好的銀漿印在矽片上(shàng)做(zuò)成栅線，經過燒結，同時(shí)制(zhì)成背電(diàn)極，并在有(yǒu)栅線的面塗一層防反射塗層，電(diàn)池片就至此制(zhì)成。電(diàn)池片排列組合成電(diàn)池組件，就組成了大(dà)的電(diàn)路闆。一般在組件四周包鋁框，正面覆蓋玻璃，反面安裝電(diàn)極。有(yǒu)了電(diàn)池組件和(hé)其他輔助設備，就可(kě)以組成發電(diàn)系統。為(wèi)了将直流電(diàn)轉化交流電(diàn)，需要安裝電(diàn)流轉換器(qì)。發電(diàn)後可(kě)用蓄電(diàn)池存儲，也可(kě)輸入公共電(diàn)網。發電(diàn)系統成本中，電(diàn)池組件約占50%，電(diàn)流轉換器(qì)、安裝費、其他輔助部件以及其他費用占另外 50%。